特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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英特尔至强6能效核处理器强势登场，助力数据中心迈入高能效新时代

北京，2024年6月6日 - 英特尔今日重磅发布至强6能效核处理器，旨在为数据中心带来全新性能和能效水平。此次发布标志着英特尔在数据中心处理器领域取得的重大突破，将助力用户显著降低运营成本，并为可持续发展做出贡献。

至强6能效核处理器采用全新架构设计，可提供卓越的每瓦性能，相比上一代产品性能提升高达40%。此外，它还支持英特尔® Optane™ 技术和英特尔® 深度学习加速技术，可显著加速各类工作负载，包括人工智能、机器学习和高性能计算等。

“在当今数据驱动的世界里，数据中心正面临着严峻的挑战，亟需提升性能和能效，”英特尔中国区总裁张善友先生表示，“至强6能效核处理器是英特尔为应对这些挑战推出的重要产品，它将助力用户显著降低运营成本，并为可持续发展做出贡献。”

至强6能效核处理器主要面向以下应用场景：

• 云计算和边缘计算：至强6能效核处理器可显著提升云计算和边缘计算的性能和能效，助力用户降低运营成本并扩展服务规模。
• 人工智能和机器学习：至强6能效核处理器支持英特尔® 深度学习加速技术，可显著加速人工智能和机器学习工作负载的训练和推理。
• 高性能计算：至强6能效核处理器可提供强大的计算能力，满足高性能计算应用的需求。

英特尔至强6能效核处理器的发布，再次展现了英特尔在数据中心领域的领先地位。英特尔将继续致力于创新，为用户提供更高性能、更高能效的数据中心解决方案，助力用户实现数字化转型。

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